رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ALD212908ASAL
Product Overview
المُصنّع:
Advanced Linear Devices Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
ALD212908ASAL-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
13216854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ALD212908ASAL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Advanced Linear Devices
تعبئة
Tube
سلسلة
EPAD®, Zero Threshold™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
10.6V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
20mV @ 10µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
0°C ~ 70°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
ALD212908
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ALD114813SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
ALD210808APCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
ALD310708PCL
MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP