رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOD603A
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOD603A-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 3.5A, 3A 2W Surface Mount TO-252-4L
المخزون:
12848871
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOD603A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel, Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A, 3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
حزمة جهاز المورد
TO-252-4L
رقم المنتج الأساسي
AOD603
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
5202-AOD603ATR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FW389-TL-2W
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC
FDS6898A_NF40
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
IPG20N06S2L50ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
