رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOI11S60
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOI11S60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-251A
المخزون:
12843769
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOI11S60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
399mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
545 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251A
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
AOI11
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,500
اسماء اخرى
5202-AOI11S60
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK12Q60W,S1VQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
65
DiGi رقم الجزء
TK12Q60W,S1VQ-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STU13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1340
DiGi رقم الجزء
STU13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON6590
MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
NTF3055L175T3LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
AOL1208
MOSFET N-CH 30V 11A/50A ULTRASO8
