رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOI2614
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOI2614-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 13A/35A TO251A
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 35A (Tc) 6.2W (Ta), 60W (Tc) Through Hole TO-251A
المخزون:
12846323
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOI2614 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1340 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.2W (Ta), 60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251A
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
AOI261
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
785-1723-5
5202-AOI2614
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOI2610E
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOI2610E-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOY2610E
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOY2610E-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO3421L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
AOD4136
MOSFET N-CH 25V 25A TO252
FDP8441_F085
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
