رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOK60N30L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOK60N30L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 60A (Tc) 658W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
174 قطع جديدة أصلية في المخزون
12845514
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOK60N30L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
56mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
658W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
AOK60
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
785-1449-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH69N30P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXFH69N30P-DG
سعر الوحدة
6.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFH70N30Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH70N30Q3-DG
سعر الوحدة
13.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON1634
MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN
AOD3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
AON4407L
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
