رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AON2880
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AON2880-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 7A 2W Surface Mount 8-DFN-EP (2x2)
المخزون:
12843844
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AON2880 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-WFDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
8-DFN-EP (2x2)
رقم المنتج الأساسي
AON288
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO6601
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
NVMFD5873NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
NTLUD3A260PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN