AON3611

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

AON3611

Product Overview

المُصنّع:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

AON3611-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (3x3)

المخزون:

48639 قطع جديدة أصلية في المخزون

12848253

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

AON3611 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel, Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5A, 6A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

170pF @ 15V

الطاقة - الحد الأقصى

2.1W, 2.5W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SMD, Flat Lead

حزمة جهاز المورد

8-DFN (3x3)

رقم المنتج الأساسي

AON361

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

785-1570-1

785-1570-2

785-1570-6

AON3611-DG

5202-AON3611TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

AOC3870

MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON5802BL

MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

onsemi

FDMS7600AS

MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56

onsemi

FDG6320C_D87Z

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88