رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AON6452
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AON6452-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 26A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
المخزون:
12845569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AON6452 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SDMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta), 26A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2200 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
AON645
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
785-1231-1
785-1231-2
5202-AON6452TR
785-1231-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TPN30008NH,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2775
DiGi رقم الجزء
TPN30008NH,LQ-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
