رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AON6484
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AON6484-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 3.3A/12A 8DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 12A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
المخزون:
12845741
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AON6484 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Ta), 12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
79mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
942 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
AON648
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
5202-AON6484TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
AON7700
MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8DFN
AOI950A70
MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
