AON6812

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

AON6812

Product Overview

المُصنّع:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

AON6812-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 27A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12849833

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

AON6812 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

27A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

34nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1720pF @ 15V

الطاقة - الحد الأقصى

4.1W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

8-DFN-EP (5x6)

رقم المنتج الأساسي

AON681

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

785-1630-6

785-1630-2

785-1630-1

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AO4884L_001

MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC

onsemi

FDMA1023PZ

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

onsemi

FDG6314P

MOSFET 2P-CH 25V SC88

alpha-and-omega-semiconductor

AO4852L

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC