AON7932_101

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

AON7932_101

Product Overview

المُصنّع:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

AON7932_101-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12848052

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

AON7932_101 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6.6A, 8.1A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

6.5nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

460pF @ 15V

الطاقة - الحد الأقصى

1.4W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-WDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

8-DFN-EP (3x3)

رقم المنتج الأساسي

AON793

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

1

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

AON7934

المُصنِّع

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

الكمية المتاحة

4289

DiGi رقم الجزء

AON7934-DG

سعر الوحدة

0.33

نوع الاستبدال

MFR Recommended

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

infineon-technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

onsemi

FDMC8200S

MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33

onsemi

FDMA2002NZ_F130

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

infineon-technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON