رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AONT21313C
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AONT21313C-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
المخزون:
13270521
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AONT21313C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
530 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-DFN (2x2)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
AONT21
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
785-AONT21313CTR
5202-AONT21313CTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AON2409
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
676
DiGi رقم الجزء
AON2409-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOSS21319C
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
AONS36346
MOSFET N-CH 30V 26.5A/60A 8DFN
AONS36348
MOSFET N-CH 30V 24A/50A 8DFN
