الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOT11S65L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOT11S65L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12845885
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOT11S65L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
646 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
198W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
AOT11
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
TO220 Pkg Drawing
مخططات البيانات
AOT11S65L
ورقة بيانات HTML
AOT11S65L-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
AOT11S65L-DG
785-1510-5
5202-AOT11S65L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP12N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP12N65X2-DG
سعر الوحدة
2.28
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP13N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP13N65M2-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP15N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
STP15N65M5-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPP80R360P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPP80R360P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP11NM80
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
695
DiGi رقم الجزء
STP11NM80-DG
سعر الوحدة
2.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON6528
MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN
AOL1712
MOSFET N-CH 30V 16A/65A ULTRASO8
AON6280
MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
AO6409
MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP