الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOT20S60L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOT20S60L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
2789 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849801
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOT20S60L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1038 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
266W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
AOT20
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
TO220 Pkg Drawing
مخططات البيانات
AOT20S60L
ورقة بيانات HTML
AOT20S60L-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
785-1251-5
Q9918385
5202-AOT20S60L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
189
DiGi رقم الجزء
STP24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TK17E65W,S1X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
12
DiGi رقم الجزء
TK17E65W,S1X-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXKC20N60C
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXKC20N60C-DG
سعر الوحدة
9.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP24N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
105
DiGi رقم الجزء
STP24N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP26N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP26N60M2-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDD3570
MOSFET N-CH 80V 10A TO252
AOW15S65
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
HUF76423D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA