الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOTF18N65
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOTF18N65-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848733
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOTF18N65 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3785 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
AOTF18
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
TO220F Pkg Drawing
أوراق البيانات
AOTF18N65(L)
مخططات البيانات
AOTF18N65
ورقة بيانات HTML
AOTF18N65-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
785-1431-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF13N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
862
DiGi رقم الجزء
STF13N65M2-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TK10A60W,S4VX
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
49
DiGi رقم الجزء
TK10A60W,S4VX-DG
سعر الوحدة
1.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF12N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
130
DiGi رقم الجزء
STF12N65M5-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJMF380N65E1_T0_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
1998
DiGi رقم الجزء
PJMF380N65E1_T0_00001-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF16N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STF16N65M2-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
NTMFS5C673NLT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
FDP12N60NZ
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK