رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOU7S65
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOU7S65-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3
المخزون:
12845312
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOU7S65 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
434 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
AOU7
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
رسومات المنتج
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
785-1523-5
AOU7S65-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STU10N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
59
DiGi رقم الجزء
STU10N60M2-DG
سعر الوحدة
1.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STU11N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
814
DiGi رقم الجزء
STU11N65M2-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
