رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOV11S60
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOV11S60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
المخزون:
12849214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOV11S60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
650mA (Ta), 8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
545 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-DFN (8x8)
العبوة / العلبة
4-PowerTSFN
رقم المنتج الأساسي
AOV11
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,500
اسماء اخرى
785-1683-6
785-1683-2
5202-AOV11S60TR
785-1683-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF11C60P
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
FQA140N10
MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
AOB9N70L
MOSFET N-CH 700V 9A TO263
