رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOWF11S65
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOWF11S65-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
المخزون:
12848148
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOWF11S65 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
646 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262F
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
AOWF11
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
AOWF11S65-DG
5202-AOWF11S65
785-1528-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK11A65W,S5X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
81
DiGi رقم الجزء
TK11A65W,S5X-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STFU13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STFU13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOT210L
MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220
FDN304PZ
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
AOD536
MOSFET N-CH 30V 20.5A
