رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOWF2606
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOWF2606-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 13A/51A TO262F
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Through Hole TO-262F
المخزون:
12845645
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOWF2606 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 51A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4050 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262F
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
AOWF26
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
785-1448-5
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB2904
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
AOD380A60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3