الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CP225-2N2218A-WN
Product Overview
المُصنّع:
Central Semiconductor Corp
رقم الجزء DiGi Electronics:
CP225-2N2218A-WN-DG
وصف:
TRANS NPN 40V 0.8A DIE
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 250MHz 800 mW Surface Mount Die
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12997129
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CP225-2N2218A-WN المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Central Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
Die
حزمة جهاز المورد
Die
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
CP225-2N2218A-WN
ورقة بيانات HTML
CP225-2N2218A-WN-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
1514-CP225-2N2218A-WNTB
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC846BQC-QZ
TRANS NPN 65V 0.1A DFN1412D-3
BC846AQC-QZ
TRANS NPN 65V 0.1A DFN1412D-3
BC807-16QB-QZ
TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
MJD41CJ
TRANS NPN 100V 6A DPAK