CJ3139KDW-G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

CJ3139KDW-G

Product Overview

المُصنّع:

Comchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

CJ3139KDW-G-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

8509 قطع جديدة أصلية في المخزون
12791740
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

CJ3139KDW-G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Comchip Technology
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
660mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
170pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
CJ3139

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
641-1793-6
641-1793-2
641-1793-1

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
central-semiconductor

CMLDM7002AG TR PBFREE

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

central-semiconductor

CMLDM8002AG TR PBFREE

MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563

central-semiconductor

CMLDM5757 TR PBFREE

MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

central-semiconductor

CMLDM7003TG TR PBFREE

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563