رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N5551
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N5551-DG
وصف:
BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
المخزون:
12883493
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N5551 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
حزمة جهاز المورد
TO-92
رقم المنتج الأساسي
2N5551
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1774-S-AP
TRANS PNP 50V 0.15A SOT523
BCX5516TA
TRANS NPN 60V 1A SOT89-3
DXTP07040CFGQ-7
TRANS PNP 40V 3A POWERDI3
