رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BS107PSTOA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
BS107PSTOA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
المخزون:
12898776
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BS107PSTOA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.6V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
E-Line (TO-92 compatible)
العبوة / العلبة
E-Line-3
رقم المنتج الأساسي
BS107
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM60NB260CI C0G
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
TSM7N65ACI C0G
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
DMG3413L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
