رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BS250P
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
BS250P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
وصف تفصيلي:
P-Channel 45 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
المخزون:
12883281
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BS250P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
45 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
230mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
BS250
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
BS250PTA
BS250P-NDR
MX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN6040SVTQ-7
MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
DMG8880LK3-13
MOSFET N-CH 30V 11A TO252
DMN5L06T-7
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
