رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS127SSN-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS127SSN-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
6785 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946666
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS127SSN-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.08 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
21.8 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
610mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS127
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS127SSN-7DITR
BSS127SSN-7DICT
BSS127SSN-7DIDKR
BSS127SSN7
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD18503KCS
CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
FDMS0355S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FQPF7N65CYDTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
