الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DDTC114GUA-7-F
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DDTC114GUA-7-F-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12921311
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DDTC114GUA-7-F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
DDTC (R2-ONLY SERIES) UA
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
SOT-323
رقم المنتج الأساسي
DDTC114
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
DDTC1xxGUA
مخططات البيانات
DDTC114GUA-7-F
ورقة بيانات HTML
DDTC114GUA-7-F-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DDTC114GUA-7-FTR
DDTC114GUA7F
DDTC114GUA-FDITR
31-DDTC114GUA-7-FDKR
DDTC114GUA-FDIDKR
DDTC114GUA-FDICT
31-DDTC114GUA-7-FCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MUN5211T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2923
DiGi رقم الجزء
MUN5211T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC114ET,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
38842
DiGi رقم الجزء
PDTC114ET,235-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC114TUAT106
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1199
DiGi رقم الجزء
DTC114TUAT106-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC114TT,215
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
570724
DiGi رقم الجزء
PDTC114TT,215-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC114ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
26072
DiGi رقم الجزء
PDTC114ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DDTA144GE-7
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
DDTA124GCA-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DDTA124ECA-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DDTA122TU-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323