رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMG4822SSDQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMG4822SSDQ-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
14873 قطع جديدة أصلية في المخزون
12898878
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMG4822SSDQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
478.9pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
1.42W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
DMG4822
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMG4822SSDQ-13DITR
DMG4822SSDQ-13DICT
DMG4822SSDQ-13DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM2537CQ RFG
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
DMC3021LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO