رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN1033UCB4-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN1033UCB4-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12950310

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN1033UCB4-7 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

-

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

-

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

-

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

-

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

37nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

-

الطاقة - الحد الأقصى

1.45W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

4-UFBGA, WLBGA

حزمة جهاز المورد

U-WLB1818-4

رقم المنتج الأساسي

DMN1033

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMN1033UCB4-7DIDKR

DMN1033UCB4-7DICT

DMN1033UCB4-7DITR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN3012LEG-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

nexperia

BUK9V13-40HX

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

nexperia

PSMN013-40VLDX

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

nexperia

PSMN4R2-40VSHX

MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D