DMN10H099SK3-13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN10H099SK3-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN10H099SK3-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 17A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-252-3

المخزون:

5074 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884508
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN10H099SK3-13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1172 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
DMN10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMN10H099SK3-13DICT
DMN10H099SK3-13DIDKR
DMN10H099SK3-13DITR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMG3415U-13

MOSFET P-CH DFN-3

diodes

DMG2301LK-7

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

diodes

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

diodes

DMN4026SK3-13

MOSFET N-CH 40V 28A TO252