DMN10H220L-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN10H220L-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN10H220L-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23

وصف تفصيلي:

N-Channel 100 V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

10000 قطع جديدة أصلية في المخزون

12949591

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN10H220L-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1.4A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±16V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

401 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SOT-23-3

العبوة / العلبة

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

رقم المنتج الأساسي

DMN10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN10H220L-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

10,000

اسماء اخرى

DMN10H220L-13DITR

DMN10H220L-13DIDKR

DMN10H220L-13DICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN3008SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM10N80CZ C0G

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

diodes

DMN62D0SFD-7

MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN

diodes

ZVNL110ASTOA

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE