DMN2005UFG-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN2005UFG-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN2005UFG-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

المخزون:

5947 قطع جديدة أصلية في المخزون

12888130

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN2005UFG-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

18.1A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

164 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6495 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.05W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

PowerDI3333-8

العبوة / العلبة

8-PowerVDFN

رقم المنتج الأساسي

DMN2005

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN2005UFG-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMN2005UFG-13DITR

DMN2005UFG-13DICT

DMN2005UFG-13DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2450UFB4-7R

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

diodes

DMN3067LW-13

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

diodes

DMTH4008LPSQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

diodes

DMT31M7LPS-13

MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060