DMN2011UFDE-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN2011UFDE-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN2011UFDE-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12888032

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN2011UFDE-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

11.7A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

3372 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

610mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

U-DFN2020-6 (Type E)

العبوة / العلبة

6-PowerUDFN

رقم المنتج الأساسي

DMN2011

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN2011UFDE-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

10,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMNH6021SK3-13

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

diodes

DMN4034SSS-13

MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

diodes

DMG4468LFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

diodes

DMN31D5L-7

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R