رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2100UDM-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2100UDM-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-26
المخزون:
4790 قطع جديدة أصلية في المخزون
12882127
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2100UDM-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
555 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-26
العبوة / العلبة
SOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
DMN2100
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN2100UDMDIDKR
DMN2100UDMDICT
DMN2100UDM7
DMN2100UDMDITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH4004LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
DMP2109UVT-7
MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
DMP34M4SPS-13
MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
