رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2990UDJ-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2990UDJ-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 450mA 350mW Surface Mount SOT-963
المخزون:
15965 قطع جديدة أصلية في المخزون
12883876
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2990UDJ-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
450mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
27.6pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
350mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-963
حزمة جهاز المورد
SOT-963
رقم المنتج الأساسي
DMN2990
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN2990UDJ7
DMN2990UDJ-7DIDKR
DMN2990UDJ-7DICT
DMN2990UDJ-7DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMC1229UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMG8601UFG-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
2N7002DWA-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363