رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3016LDV-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3016LDV-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 21A POWERDI3333
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
المخزون:
1650 قطع جديدة أصلية في المخزون
12887448
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3016LDV-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1184pF @ 15V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
رقم المنتج الأساسي
DMN3016
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DMN3016LDV-7-DG
31-DMN3016LDV-7DKR
31-DMN3016LDV-7TR
31-DMN3016LDV-7CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN4206NTA
MOSFET 2N-CH 60V SM8
ZDM4206NTC
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
DMN2990UDJQ-7
MOSFET 2N-CH 0.45A SOT963
