رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3020UFDFQ-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3020UFDFQ-7-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10.4A (Ta), 15A (Tc) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
المخزون:
13309714
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3020UFDFQ-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
التغليف
Bulk
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.4A (Ta), 15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1304 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
730mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMN3020
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN3020UFDFQ-7
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH10H032SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SI3400AHE3-TP
Interface