رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN30H4D0L-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN30H4D0L-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
6760 قطع جديدة أصلية في المخزون
12883482
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN30H4D0L-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN30H4D0L-13DIDKR
DMN30H4D0L-13DITR-DG
DMN30H4D0L-13DICT-DG
DMN30H4D0L-13DIDKR-DG
31-DMN30H4D0L-13DKR
DMN30H4D0L-13DITR
DMN30H4D0L-13DICT
31-DMN30H4D0L-13TR
31-DMN30H4D0L-13CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN30H4D0L-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
20142
DiGi رقم الجزء
DMN30H4D0L-7-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3731U-13
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
DMTH4007LPS-13
MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
DMG8N65SCT
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
