رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN33D8LDWQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN33D8LDWQ-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
المخزون:
13000618
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN33D8LDWQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
48pF @ 5V
الطاقة - الحد الأقصى
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN33
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMN33D8LDWQ-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3032LFDBWQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
DMTH4008LPDW-13
MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
DMG6302UDW-13
MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363