رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN4010LFG-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN4010LFG-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12888250
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN4010LFG-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1810 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
930mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN4010
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3G100GNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
112698
DiGi رقم الجزء
RQ3G100GNTB-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN4010LFG-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1100
DiGi رقم الجزء
DMN4010LFG-7-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP3017SFGQ-7
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
DMP6110SVT-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
DMT68M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
