DMN61D9UT-13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN61D9UT-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN61D9UT-13-DG

وصف:

2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount SOT-523

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12979085
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN61D9UT-13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
350mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28.5 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
260mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-523
العبوة / العلبة
SOT-523
رقم المنتج الأساسي
DMN61

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMN61D9UT-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMN3061SW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMN65D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

diodes

DMTH61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

BSS84Q-13-F

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K