DMN62D0LFB-7

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN62D0LFB-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN62D0LFB-7-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

المخزون:

242572 قطع جديدة أصلية في المخزون

12901704

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN62D0LFB-7 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

100mA (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.5V, 4V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

0.45 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

32 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

470mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

X1-DFN1006-3

العبوة / العلبة

3-UFDFN

رقم المنتج الأساسي

DMN62

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN62D0LFB-7-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMN62D0LFB-7DICT

DMN62D0LFB-7DITR

DMN62D0LFB-7DI-DG

DMN62D0LFB-7DI

DMN62D0LFB-7DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMP2033UVT-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

diodes

DMP2123LQ-13

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

diodes

DMTH8012LPSQ-13

MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060

fairchild-semiconductor

NDH832P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8