رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN65D8LDW-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
34033 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888929
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN65D8LDW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.87nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
22pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN65
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
