رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP2005UFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP2005UFG-7-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
المخزون:
12883946
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP2005UFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
89A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4670 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMP2005
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2005UFG-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
756
DiGi رقم الجزء
DMP2005UFG-13-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
TPN4R712MD,L1Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
7052
DiGi رقم الجزء
TPN4R712MD,L1Q-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS84-7
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
DMN10H220LVT-13
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
