DMP2035UTS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMP2035UTS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMP2035UTS-13-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 20V 6.04A 890mW Surface Mount 8-TSSOP

المخزون:

1711 قطع جديدة أصلية في المخزون

12884001

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMP2035UTS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 P-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6.04A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1610pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

890mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-TSSOP

رقم المنتج الأساسي

DMP2035

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMP2035UTS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMP2035UTS-13DIDKR

DMP2035UTS-13DICT

DMP2035UTS13

DMP2035UTS-13DITR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMS3017SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO

diodes

DMC3400SDW-13

MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363

diodes

DMG1026UV-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563

diodes

DMPH6050SPD-13

MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50