DMP2160UFDBQ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMP2160UFDBQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMP2160UFDBQ-7-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

المخزون:

16523 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888399
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMP2160UFDBQ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
536pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.4W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type B)
رقم المنتج الأساسي
DMP2160

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMP2160UFDBQ-7CT
31-DMP2160UFDBQ-7TR
DMP2160UFDBQ-7-DG
31-DMP2160UFDBQ-7DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMC3025LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

diodes

DMN61D8LVT-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

diodes

DMG9926USD-13

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO

diodes

DMC3061SVT-13

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6