رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP2900UFBQ-7B
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP2900UFBQ-7B-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 990mA (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
المخزون:
12994128
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP2900UFBQ-7B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
990mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
49 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
550mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X1-DFN1006-3
العبوة / العلبة
3-UFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMP2900
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMP2900UFBQ-7B
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2900UFB-7B
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
9889
DiGi رقم الجزء
DMP2900UFB-7B-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7Y59-60E/DMANX
MOSFET
ZVP4525GQTA
MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T
DMP2541UCP9-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DSN1515
