الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP3100L-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP3100L-7-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12884897
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP3100L-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
227 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.08W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMP3100
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDN358P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDN358P-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AO3403
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
87399
DiGi رقم الجزء
AO3403-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RRR030P03TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
20958
DiGi رقم الجزء
RRR030P03TL-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMG2307L-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
114509
DiGi رقم الجزء
DMG2307L-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SI2307CDS-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
106320
DiGi رقم الجزء
SI2307CDS-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
DMG4N60SK3-13
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23