DMP65H13D0HSS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMP65H13D0HSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMP65H13D0HSS-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

وصف تفصيلي:

P-Channel 600 V 250mA (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12978538

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMP65H13D0HSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

600 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

250mA (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

13Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13.4 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

582 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.9W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SO

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية

4,000

اسماء اخرى

31-DMP65H13D0HSS-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

2SK3357-A

2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET

diodes

DMP3045LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN2710UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMN21D2UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-