رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMPH6050SSD-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMPH6050SSD-13-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 5.2A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
1985 قطع جديدة أصلية في المخزون
12900238
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMPH6050SSD-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1525pF @ 30V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
DMPH6050
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMPH6050SSD-13CT
31-DMPH6050SSD-13DKR
31-DMPH6050SSD-13TR
DMPH6050SSD-13-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN2050LFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
KGF16N05D-400W
MOSFET 2N-CH 5.5V 16A 20WLCSP
FDS6894A
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
