رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT2005UDV-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT2005UDV-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 24V 50A POWERDI3333
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 24V 50A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)
المخزون:
12949509
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT2005UDV-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
24V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46.7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2060pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8 (Type UXC)
رقم المنتج الأساسي
DMT2005
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMC2990UDJQ-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
ZXMC4559DN8TC
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
